균일막
로드록 타입이기 때문에 고진공에서 성막이 가능합니다.
또한 φ300mm 타겟을 사용하여 균질한 막 공급이 가능합니다.
(Ex．Pt막 8in. 면 내±1～2％)
전극 형성
기판 가열 온도 600℃까지 대응 가능합니다.
고/강 유전체 디바이스의 귀금속 전극 성막에 가장 적합합니다.
| size of cathode | Ф300×2(RF+DC) |
|---|---|
| size of substrate(MAX) | ~Ф8in.×5(로드 록타입) |
| Sub. Temperature(MAX) | 600℃ |
| Exhaust system | RP, TP |
| Power of Depo(MAX) | DC2000W, RF2000W |
| Back Pressure(MAX) | 5.0×10-6Pa이하 |
| Reverse-Sputter | × |
| Base metal material | Al, Cr, Cu, Si, Ta, Ti |
| Precious metal material | Pt, Ir, Ru |
| Oxide material | Al2O3 |
| Composite oxide material | - |
| Others | Al-Si1at% |
＊ 위 보유 타겟 이외의 성막도 상담 가능합니다.
