코스패터성막
2원 및 3원의 코스패터에 의한 성막이 가능합니다.
(Ex.Au-20wt%Sn 목표에 대하여 ±2～3％)
재료 탐색에 가장 적합함
음극 부분이 φ2인치로 작기 때문에 저렴한 초기 비용으로 재료를 탐색할 수 있습니다.
치밀한 막
헬리콘파를 사용해서 치밀한 성막이 가능합니다.
리액티브 스패터
메탈 타겟을 사용하여 산화막, 질화막 성막이 가능합니다.
대응 가스: Ar, O2, N2＊혼합 가스 대응도 가능합니다.
| size of cathode | φ2in×3(RF) |
|---|---|
| size of substrate(MAX) | ～φ4in.×1 |
| Sub. Temperature(MAX) | 700℃ |
| Exhaust system | RP,TP |
| Power of Depo(MAX) | RF200W |
| Back Pressure(MAX) | 2.0×10-4Pa이하 |
| Reverse-Sputter | × |
| Base metal material | Hf, Al, Co, Cr, Cu, Fe, Ge, Mo, Nb, Ni, Si, Sn, Ta, Ti, V, W, Y, Zn, Zr |
| Precious metal material | Au, Pt, Ir, Pd, Rh, Ru, Ag |
| Oxide material | Bi2O3, Fe3O4, HfO2, SiO2, Ta2O5, TiO2, V2O5, WO3, Y2O3, ZnO, ZrO2 |
| Composite oxide material | GaZnOx, IZO(In2O3-10wt%ZnO), ITO |
| Others | Si3N4, TiN, SiC, TiC, Al-Cr2wt%, Al-Nd2at%, Al-Si1wt%, Al-Si1%-Cu0.5wt%, Al-Ti1.5wt%, APC, APC-TR, APC-SR |
＊위 보유 타겟 이외의 성막도 상담 가능합니다
